光電気変換装置、反射防止膜及び電極基板

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994198845
Publication number (International publication number)：1996064848
Application date： Aug. 23, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】入射する光を有効に利用できるため変換効率が高く、より小面積での利用が可能な光電気変換体を提供する。【構成】導電性基体の表面上に、半導体層、反射防止層および集電電極を順次積層して形成される光電気変換体、または透明基体の表面上に、反射防止層、半導体層、および集電電極を順次積層して形成される光電気変換体において、前記反射防止層が、カドミウム(Cd)、インジウム(In)およびスズ(Sn)のうち少なくとも1つの元素を含む酸化物層Aと、亜鉛(Zn)またはチタン(Ti)の元素を含む酸化物層Bとを、交互に積層した構造体からなり、かつ前記反射防止層の表面を構成する結晶粒子の粒径が20nm以下である。前記反射防止層において、前記酸化物層Aの膜厚が10nm以上20nm以下である。前記反射防止層において、前記酸化物層Bの膜厚が5nm以上10nm以下である。

Claim (excerpt)：

導電性基体の表面上に、半導体層、反射防止層および集電電極を順次積層して形成される光電気変換体、または透明基体の表面上に、反射防止層、半導体層、および集電電極を順次積層して形成される光電気変換体において、前記反射防止層が、カドミウム(Cd)、インジウム(In)およびスズ(Sn)のうち少なくとも1つの元素を含む酸化物層Aと、亜鉛(Zn)またはチタン(Ti)の元素を含む酸化物層Bとを、交互に積層した構造体からなり、かつ前記反射防止層の表面を構成する結晶粒子の粒径が20nm以下であることを特徴とする光電気変換体。

FI (2)：

H01L 31/04 F , H01L 31/04 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

光起電力素子及び発電システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305367 Applicant：キヤノン株式会社
透明電極薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-296427 Applicant：松下電器産業株式会社
酸化In-Sn系透明導電膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-005644 Applicant：株式会社日立製作所

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