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J-GLOBAL ID：200903069088765830

半導体装置の製造方法

Inventor： 田中 剛 ,  西岡 泰城
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994178818
Publication number (International publication number)：1996055910
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置において信頼性の高い多層配線を形成する。【構成】 基板(1)上に、金属配線(2)を形成した後、ポリイミドの前駆体をスピナーをもちいてコート(3)する。その後所定温度でベーク等処理を行うことにより完全に一体なポリイミド膜を形成する。その後金属配線(4)を形成する。他の態様も開示する。

Claim (excerpt)：

多層配線形成工程が、比誘電率の低い有機物を含有する絶縁膜を多層化して形成する際、前記絶縁膜の前駆体をスピンコートし、前記絶縁膜中にポリマーが形成される温度以下で有機溶媒を蒸発させ、第2の前記絶縁膜の前駆体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-177719
  
• 配線基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-128186   Applicant：住友金属工業株式会社