酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：志賀正武 , 渡邊隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003061632
Publication number (International publication number)：2004269309
Application date： Mar. 07, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】本発明は、半溶融凝固法により酸化物超電導体を製造する際に従来よりも大型の酸化物超電導体を簡便に製造することが可能な酸化物超電導体の製造方法とそれにより得られる酸化物超電導体の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、半溶融凝固法にあたり、前駆体1、2を複数積み重ね、積み重ねた最上段の前駆体上に種結晶3を設置し、半溶融凝固法により種結晶3を基にして最上段の前駆体1を結晶化して酸化物超電導体とし、最上段の前駆体1の結晶化を、それよりも下段側の前駆体に伝播させて積み重ねた他の前駆体を順次酸化物超電導体とするものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化物超電導体の前駆体を加熱して半溶融状態とした後に冷却し、前記前駆体上に設置されている種結晶の結晶構造を基に先の半溶融状態の前駆体を結晶化して酸化物超電導体とする半溶融凝固法によって酸化物超電導体を製造する方法であって、前記半溶融凝固法を実施するにあたり、前記前駆体を複数積み重ね、積み重ねた最上段の前駆体上に種結晶を設置し、半溶融凝固法により該種結晶を基にして最上段の前駆体を結晶化するとともに、該結晶化を下段側の前駆体に伝播させて積み重ねた他の前駆体を順次結晶化することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (2)：

C01G1/00 , C01G3/00

FI (2)：

C01G1/00 S , C01G3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

高温酸化物超電導材料およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-294587 Applicant：同和鉱業株式会社, 中部電力株式会社
酸化物バルク超電導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-354469 Applicant：新日本製鐵株式会社
酸化物超電導体積層体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-155605 Applicant：旭硝子株式会社

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