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J-GLOBAL ID：200903069127753658

半導体ウェハ用クランプリング

Inventor： 鈴木 敦 ,  大滝 浩通 ,  岸 幸男 ,  小田野 直水 ,  鈴木 大喜 ,  福田 英二 ,  和田 千春
Applicant, Patent owner： 株式会社日本セラテック ,  太平洋セメント株式会社
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999041322
Publication number (International publication number)：2000243812
Application date： Feb. 19, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 パーティクル発生を抑制することができる半導体ウェハのクランプリングを提供すること。【解決手段】 セラミックス焼結体からなり、半導体ウェハ4の周縁部を保持する保持部3を有し、保持部3の少なくとも半導体ウェハ4と接触する部分3aの表面粗さをRa=10μm以下としてクランプリング1を構成する。

Claim (excerpt)：

セラミックス焼結体からなり、半導体ウェハの周縁部を保持する保持部を有し、前記保持部の少なくとも半導体ウェハと接触する部分の表面粗さがRa=10μm以下であることを特徴とする半導体ウェハ用クランプリング。

F-Term (6)：

5F031CA02 ,  5F031HA25 ,  5F031HA28 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 被処理体の保持装置及び処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-265865   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 物品保持装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-193855   Applicant：京セラ株式会社