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J-GLOBAL ID：200903069163001182

CVD装置

Inventor：
野上 裕

About 野上 裕


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023887
Publication number (International publication number)：1999312674
Application date： Feb. 01, 1999
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 大面積基板にプラズマを利用したCVDによりTEOSを用いてシリコン酸化膜を成膜する場合、パーティクルの発生を抑制し、基板へのイオン入射を防止し、基板近傍でのプラズマ分布を良好にする。【解決手段】 真空容器12内でプラズマを生成して活性種(ラジカル)を発生させ、この活性種と材料ガスで基板11に成膜処理を行う装置であり、複数の孔22が形成された隔壁板15を設けて真空容器の内部をプラズマ生成空間16と成膜処理空間17に分け、材料ガスは、プラズマ生成空間と隔壁板を貫通しかつ分散して設けられた複数の通路を通して成膜処理空間に直接に導入され、プラズマ生成空間で生成された活性種は、隔壁板に形成された複数の孔を通して成膜処理空間に導入される。
Claim (excerpt)：
真空容器内でプラズマを生成して活性種を発生させ、この活性種と材料ガスで基板に成膜処理を行うCVD装置において、複数の孔が形成された隔壁板を設けて前記真空容器の内部をプラズマ生成空間と成膜処理空間に分け、前記真空容器に供給された前記材料ガスは、前記プラズマ生成空間と前記隔壁板を貫通しかつ分散して設けられた複数の導電性の通路を通して前記成膜処理空間に直接に導入され、前記プラズマ生成空間で生成された前記活性種は、前記隔壁板に形成された前記複数の孔を通して前記成膜処理空間に導入されることを特徴とするCVD装置。
IPC (5)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205
FI (5)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平3-197684
  • 特公平8-011829
  • 特開平4-187592
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