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J-GLOBAL ID:200903094176480734

化学蒸着に関する改良

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995147781
Publication number (International publication number):1996091989
Application date: Jun. 14, 1995
Publication date: Apr. 09, 1996
Summary:
【要約】【目的】 気体状の先駆物質を反応チャンバに別々に導入し、次いで、それらを混合し、加熱された基板に近接した位置で均質な混合物を形成し、所望の蒸着を起こすことを目的とする。【構成】 化学蒸着反応は、蒸着すべき材料用の第1先駆物質及び第2先駆物質が、それらを反応チャンバに入る前に冷却する複数の独立したディスクリートパス(21、24)に沿って、反応容器(5)に導入されることにより行われる。先駆物質が、加熱された基板(4)が収容された反応チャンバ内で混合され、基板の上に材料を蒸着するように反応する。
Claim (excerpt):
(1)前記材料が前記先駆物質の反応によって蒸着されるべき、加熱された基板(4)を収容するための反応チャンバ(5)と、(2)第1先駆物質用の第1チャンバ(16)と、(3)第2先駆物質用の第2チャンバ(18)と、(4)第1チャンバを反応チャンバと連結して、個別の流路を提供し、それに沿って第1先駆物質が反応チャンバへと通ることができる複数の第1導管(21)と、(5)第2チャンバを反応チャンバと連結して、個別の流路を提供し、それに沿って第2先駆物質が反応チャンバへと通ることができ、それにより、前記第1先駆物質と前記第2先駆物質との間の接触が、先駆物質が反応チャンバに入るまで起こらない複数の第2導管(24)と、(6)前記第1導管と第2導管を冷却するための手段(31、32、33、34、35、36)とを有する、第1及び第2の気体状の先駆物質から、化学蒸着によって材料を作り出すための反応容器。
IPC (4):
C30B 25/02 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-030127
  • 半導体製造装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-315103   Applicant:富士通株式会社
  • 特開昭60-207332
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