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J-GLOBAL ID：200903069215006471

化合物半導体上のメタルエピタキシャル膜の成長方法

Inventor： 廣野 滋 ,  大坂 次郎 ,  井上 直久
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993083733
Publication number (International publication number)：1994298595
Application date： Apr. 12, 1993
Publication date： Oct. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】化合物半導体上に金属間化合物をエピタキシャル成長させる際に、特に連続性、平坦性に優れた膜を形成する方法を提供すること。【構成】上記目的は、化合物半導体上に金属間化合物をエピタキシャル成長させる方法において、核形成時の基板温度を低温とし、その後、基板温度を高温とすることを特徴とする化合物半導体上のメタルエピタキシャル膜の成長方法とすることによって達成することができる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体上に金属間化合物をエピタキシャル成長させる方法において、核形成時の基板温度を低温とし、その後、基板温度を高温とすることを特徴とする化合物半導体上のメタルエピタキシャル膜の成長方法。

IPC (4)：

C30B 23/02 ,  C30B 29/52 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/203