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J-GLOBAL ID：200903069216321265

電界効果型有機トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
中村 真一

About 中村 真一


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003328525
Publication number (International publication number)：2005093921
Application date： Sep. 19, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】 移動度が大きくオンオフ比の高い、有機半導体層を有する電界効果型有機トランジスタを提供する。【解決手段】 絶縁性基板11上にゲート電極12を配置し、その上にゲート絶縁層13を配置し、更にその上にソース電極15およびドレイン電極14を配置し、その上に有機半導体層16および保護膜17を配置してなる電界効果型有機トランジスタであって、該ゲート絶縁層16が光異方性材料を含有し、その光異方性材料により該有機半導体層が配向している電界効果型有機トランジスタである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の各電極と、ゲート絶縁層及び有機半導体層とを有する電界効果型有機トランジスタであって、該ゲート絶縁層が光異方性材料を含有し、その光異方性材料が光照射により生成した異方性構造に接して有機半導体層が設けられていることを特徴とする電界効果型有機トランジスタ。
IPC (3)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (4)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V
F-Term (38)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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