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J-GLOBAL ID：200903069275342489

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 稲生 寿穂 ,  船崎 和雄 ,  勝田 幸治
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998079072
Publication number (International publication number)：1999274364
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 小型パッケージ構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップ1を載せる搭載台20が、金属板23、金属板23の表面に形成された絶縁層22、24及び絶縁層22の上に形成された熱可塑性樹脂21で構成される。半導体チップ1とリード4とを熱可塑性樹脂21に熱圧着して樹脂5で封止する。樹脂封止後に搭載台20の片面が樹脂5から露出しており、これによって放熱効果を高めることができる。

Claim (excerpt)：

搭載台と、この搭載台の周辺部にあって端部が前記搭載台に圧着されたリードと、前記搭載台の略中央部にあって前記搭載台に圧着された半導体チップと、この半導体チップと前記リードとを電気的に接続する接続線と、前記搭載台、リード、半導体チップ及び接続線を封止した封止樹脂とを備えた半導体装置であって、前記搭載台が、主面及び対面を備えた金属板とこの記金属板の前記主面及び対面に形成された絶縁層と前記金属板の少なくとも主面の側の絶縁層に形成された熱可塑性樹脂層とを備え、前記リード及び前記半導体チップが前記搭載台に熱圧着されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/603 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/50

FI (8)：

H01L 23/12 J ,  H01L 21/52 A ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/603 A ,  H01L 23/28 B ,  H01L 23/50 L ,  H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057646   Applicant：株式会社日立製作所
• リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-103822   Applicant：新光電気工業株式会社
• 放熱板とそれを用いたリードフレーム部材及び樹脂封止型半導体装置、および放熱板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-277206   Applicant：大日本印刷株式会社