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J-GLOBAL ID：200903069290645234

調整可能なCVDダイアモンド構造体

Inventor：
リナレス,ロバート シー.

About リナレス,ロバート シー.

, 
ドーリング,パトリック ジェイ.

About ドーリング,パトリック ジェイ.


Applicant, Patent owner：
アポロ ダイアモンド,インコーポレイティド

About アポロ ダイアモンド,インコーポレイティド


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004564000
Publication number (International publication number)：2006512270
Application date： Dec. 22, 2003
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：
半導体デバイス、光導波路、および産業用用途などの用途における使用に適合したものであって、少なくとも一つがCVD法により形成される1以上のダイアモンド層を有する単結晶ダイアモンド構造の形態をもった単結晶ダイアモンド。ダイアモンド層は、互いに「格子適合」または「格子不適合」されていて、望ましいレベルの歪みを提供する。
Claim (excerpt)：
合成単結晶ダイアモンドを形成する方法であって、下記の工程: a)1以上の不純物および1以上の同位炭素を組み込んだ第1合成ダイアモンド層を化学蒸着法により基板上に形成する工程、および b)対応レベルの格子歪みを有する所定の格子定数を有する第1合成ダイアモンド層を形成するために、前記第1合成ダイアモンド層の形成中に前記1以上の同位炭素および前記1以上の不純物の濃度を選択する工程 を含む方法。
IPC (3)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  H01L 29/167
FI (3)：
C30B29/04 A ,  C23C16/27 ,  H01L29/167
F-Term (30)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB16 ,  4G077DB23 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC10 ,  4G077ED06 ,  4G077EE04 ,  4G077FG06 ,  4G077HA01 ,  4G077HA06 ,  4G077HA13 ,  4G077HA14 ,  4G077TA04 ,  4G077TE02 ,  4G077TE03 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030KA25 ,  4K030LA02 ,  4K030LA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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