Pat

J-GLOBAL ID：200903069321349175

薄膜半導体装置、多結晶半導体薄膜製造方法及び製造装置

Inventor： 波多野 睦子 ,  山口 伸也 ,  木村 嘉伸 ,  朴 成基
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001019570
Publication number (International publication number)：2002222959
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本願発明は、絶縁性基板上に形成した多結晶半導体膜の高品質化を図ることである。【解決手段】 本願発明は、絶縁性基板上の多結晶シリコン膜からなる第1の半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けたゲート電極と、上記半導体層に設けたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置されたソース領域とドレイン領域とを有するMIS型電界効果トランジスタにおいて、少なくとも上記チャネル領域の主配向が上記ゲート絶縁膜の表面に対して{110}である薄膜半導体装置である。更に、上記ソースとドレイン領域を結ぶ方向にほぼ垂直な面の主配向が{100}である多結晶半導体膜を半導体装置のチャネルに適応することが、より好ましい。本願発明によれば、絶縁体基板上に、粒界、粒径、結晶方位を制御でき、結晶化の仮定で生じる膜のラフネスと結晶欠陥を低減した高品質の多結晶半導体膜を有する半導体装置を得ることが出来る。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板と、多結晶半導体膜からなる第1の半導体膜と、この第1の半導体膜にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第1の半導体膜に所定間隔で設けられた第1の電荷送受手段と第2の電荷送受手段と、前記第1と第2の電荷送受手段の間に形成されるチャネル領域とを有し、且つ前記チャネル領域を構成する前記第1の半導体膜の、前記絶縁性基板もしくは前記ゲート絶縁膜の主表面に対する主配向が{110}であることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 620

F-Term (33)：

5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052FA01 ,  5F052FA22 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24 ,  5F110PP36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-205347   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭60-091622
  
• 特開昭64-050569
  
• 特開昭64-059807