半導体装置およびその作製方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997205347
Publication number (International publication number)：1999040815
Application date： Jul. 14, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】高い動作性能と高い信頼性とを同時に実現しうる新しい構造の半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板106上の結晶半導体薄膜を利用した半導体装置において、活性領域102に局部的な不純物注入を施し、ピニング領域104を形成する。このピニング領域104はドレイン側からの空乏層の広がりを抑止し、短チャネル効果を効果的に防止する。また、チャネル形成領域105は真性または実質的に真性であるので高いモビリティが実現される。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上の結晶半導体薄膜を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域と、ゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、を構成の少なくとも一部に含む半導体装置であって、前記活性領域はチャネル形成領域と、前記結晶半導体薄膜のエネルギーバンドをシフトさせてなる不純物領域と、から構成され、局部的に設けられた前記不純物領域によって前記ドレイン領域より前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 618 F , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

薄膜半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-186265 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭62-248255
結晶化方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-194023 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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Cited by examiner (5)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-097227 Applicant：セイコー電子工業株式会社
薄膜半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-186265 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭62-248255

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