イオン打ち込み方法及びイオン打ち込み装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014615
Publication number (International publication number)：1993206049
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】損傷の少ないp型、n型の半導体を得るため、イオン打ち込みと同時に損傷を除去する方法及び装置を与える。【構成】基板1にイオン打ち込みする際に同時に光2を照射する。また、イオン打ち込み時に基板を冷却する。【効果】イオン衝撃による格子欠陥は表面近傍で形成され、一方光は基板の表面から吸収され表面近傍がより加熱される。このため、より深い位置にあるインタースティシャルは表面に向かって拡散しベイカンシーをコンペンセートする。また、光の照射がイオン照射中に同時に行われるので、格子欠陥の濃度が小さい内にコンペンセートされ格子が元の完全な結晶に戻りやすい。

Claim (excerpt)：

イオン打ち込みされる基板に打ち込みと同時に光も照射することを特徴とするイオン打ち込み方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 , H01J 37/317

FI (2)：

H01L 21/265 B , H01L 21/265 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

特開昭61-150215
特開平4-150993
特開昭54-162453

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