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J-GLOBAL ID：200903069367637159

多孔性ポリマ-薄膜及び半導体装置

Inventor： 渡部 慶二 ,  五十嵐 美和 ,  矢野 映 ,  中田 義弘 ,  福山 俊一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998370012
Publication number (International publication number)：2000191822
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高絶縁性、高耐熱性、低誘電率、高密着性、簡便な製造プロセス、均一な膜質、そして安定性という絶縁膜に課されている要求特性のすべてを同時に満足させることのできるポリマー薄膜を提供すること。【解決手段】 多孔性のポリマー薄膜において、5,000以上の重量平均分子量を有しかつその構造中に親水性基を有しない薄膜形成性ポリマーから形成されたものでありかつ前記ポリマー薄膜中に孔径5〜5,000Åの微細な細孔が分散せしめられており、そして前記細孔が、前記薄膜形成性ポリマーと分子レベルで均一に混合可能でありかつ前記ポリマー薄膜の成膜中にその薄膜から分離及び除去された細孔形成性化合物に由来しているように構成する。

Claim (excerpt)：

多孔性のポリマー薄膜であって、5,000以上の重量平均分子量を有しかつその構造中に親水性基を有しない薄膜形成性ポリマーから形成されたものでありかつ前記ポリマー薄膜中に孔径5〜5,000Åの微細な細孔が分散せしめられており、そして前記細孔が、前記薄膜形成性ポリマーと分子レベルで均一に混合可能でありかつ前記ポリマー薄膜の成膜中にその薄膜から分離及び除去された細孔形成性化合物に由来していることを特徴とする多孔性ポリマー薄膜。

IPC (5)：

C08J 9/26 102 ,  C08J 9/26 CFH ,  H01L 21/312 ,  H01M 2/16 ,  C08L 83:04

FI (4)：

C08J 9/26 102 ,  C08J 9/26 CFH ,  H01L 21/312 C ,  H01M 2/16 P

F-Term (25)：

4F074AA90 ,  4F074AB01 ,  4F074BA72 ,  4F074BA75 ,  4F074BA82 ,  4F074CB03 ,  4F074CB06 ,  4F074CB16 ,  4F074CB17 ,  4F074DA03 ,  4F074DA14 ,  4F074DA23 ,  4F074DA47 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5H021BB13 ,  5H021EE02 ,  5H021EE20 ,  5H021EE30 ,  5H021EE37 ,  5H021HH00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-034407
  
• 多孔質膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-135785   Applicant：ジェイエスアール株式会社