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J-GLOBAL ID：200903098370722639

多孔質膜

Inventor： 後藤 幸平 ,  秋池 利之 ,  今野 圭二 ,  柴 唯啓
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998135785
Publication number (International publication number)：1999322992
Application date： May. 18, 1998
Publication date： Nov. 26, 1999
Summary：

【要約】【目的】 密着性、塗膜の均一性等に優れた多孔質膜を得る。【構成】 シルセスキオキサンを主成分とし、膜厚0.2〜20μm、密度0.3〜1.85g/cm3である多孔質膜。

Claim (excerpt)：

シルセスキオキサンを主成分とし、膜厚0.2〜20μm、密度0.3〜1.85g/cm3であることを特徴とする多孔質膜。

IPC (6)：

C08J 9/04 CFH ,  B05D 7/24 302 ,  C08K 5/56 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/312 ,  C08G 77/04

FI (6)：

C08J 9/04 CFH ,  B05D 7/24 302 Y ,  C08K 5/56 ,  C08L 83/04 ,  H01L 21/312 A ,  C08G 77/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 誘電体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-195276   Applicant：ソニー株式会社
• 多層配線半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-126399   Applicant：日本電気株式会社
• 多孔質膜、その製造法及び物品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-023140   Applicant：日立化成工業株式会社, 旭硝子株式会社