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J-GLOBAL ID：200903069413885707

窒化物半導体素子

Inventor：
大場 康夫

About 大場 康夫


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001206144
Publication number (International publication number)：2003023220
Application date： Jul. 06, 2001
Publication date： Jan. 24, 2003
Summary：
【要約】【課題】 貫通転移などの欠陥が少なく、さらに不要な歪みのない高品質窒化物結晶層をサファイア基板上に形成することにより、高性能な窒化物半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 サファイア基板1と、サファイア基板1上に形成されたAlNからなる第1のバッファー層2と、第1のバッファー層2上に形成された厚さ0.3μm以上6μm以下のAlxGa1-xN(0.8≦x0.97)からなる第2のバッファー層3と、第2のバッファー層3上に形成された窒化物半導体からなる素子構造部とを具備する窒化物半導体素子。
Claim (excerpt)：
サファイア基板と、前記サファイア基板上に形成されたAlNからなる第1のバッファー層と、前記第1のバッファー層上に形成された厚さ0.3μm以上6μm以下のAlxGa1-xN(0.8≦x≦0.97)からなる第2のバッファー層と、前記第2のバッファー層上に形成された窒化物半導体からなる素子構造部とを具備することを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (5)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (3)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H
F-Term (41)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE23 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045HA13 ,  5F073AA09 ,  5F073AA36 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ04 ,  5F102GR01 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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