半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998193085
Publication number (International publication number)：2000031588
Application date： Jul. 08, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】格子整合しない基板上にも高品質な窒化物半導体層、例えば高Al組成のAlGaN層を低歪みで形成し、且つ、窒素空孔などの結晶欠陥が少ない窒化物半導体からなる半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に高炭素濃度AlNバッファ層と高純度AlNバッファ層を形成し、AlGaN層を形成することにより、低欠陥化がはかれ、ひび割れの発生が抑制されるとともに、アクセプタ活性化率向上がはかれ半導体レーザなどの特性が向上する。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に単結晶Al<SB>w</SB>Ga<SB>x</SB>In<SB>1-w-x</SB>N(0<w≦1、0≦x≦1)からなる第1単結晶層と単結晶Al<SB>y</SB>Ga<SB>z</SB>In<SB>1-y-z</SB>N(0<y≦1、0≦z≦1)からなる第2単結晶層とが形成され、これらの層の上に形成された素子構造部を備えた半導体素子において、前記第1単結晶層の炭素濃度が前記第2単結晶層の炭素濃度よりも高いことを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/30 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

F-Term (15)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041AA43 , 5F041CA22 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F073CA17 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB08 , 5F073CB19 , 5F073EA28 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-099392 Applicant：古河電気工業株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217875 Applicant：株式会社東芝

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