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J-GLOBAL ID：200903069470172741

半導体装置及び電極形成方法

Inventor： 高柳 雄治 ,  細谷 浩美 ,  飛山 芳朗 ,  堀内 潤一郎 ,  関 達弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立原町電子工業株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996316462
Publication number (International publication number)：1998163467
Application date： Nov. 27, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体ペレットのシリコン基板とその裏面に形成された金属電極との接着性を良好にしかつ、良好な電気的接続特性を得る。【解決手段】 半導体装置を形成するペレットのシリコン基板100の裏面に、Al層101、Ti層102、Ni層103、Au層104を順次積層し、かつ、Al層101の厚みを5000Å以上とした裏面電極を設ける。半導体装置は、ペレット内に電子回路を形成し、裏面電極の各層を蒸着等により形成した後、400°C〜450°Cで加熱処理を行って製造される。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面に電子回路が形成され、この基板の裏面に裏面電極が形成されて構成される半導体装置において、前記裏面電極が、基板裏面側からアルミニウム層、チタン層、ニッケル層、金層の4層の金属層により形成され、かつ、前記アルミニウム層の厚みが5000Å以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/41 ,  H01L 29/68 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 29/44 B ,  H01L 29/68 ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 655 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭53-121571
  
• 特開昭63-313839
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-183554   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭61-035565
  
• 特開昭47-024768