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J-GLOBAL ID:200903069495060808

集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 早瀬 憲一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996008046
Publication number (International publication number):1997200021
Application date: Jan. 22, 1996
Publication date: Jul. 31, 1997
Summary:
【要約】【課題】 低電圧の電源電圧を用いた場合においても、SPDTスイッチの挿入損失特性、及びSPDTスイッチと受信用可変減衰器との間におけるアイソレーション特性に優れた集積回路を提供することを課題とする。【解決手段】 SPDTスイッチ4aの受信側スイッチ部4cのFET71のゲート電極に送信時に印加する低電圧の制御信号として、接地電位よりも低い低電圧を供給する構成とした。
Claim (excerpt):
送受信ポートと、受信ポートと、送信ポートと、電界効果型トランジスタを有し,該電界効果型トランジスタのゲートに印加される正の電源電圧により上記送信ポートと送受信ポートとを導通させる,上記送信ポートと送受信ポート間に設けられた送信側スイッチ部と、電界効果型トランジスタを有し,該電界効果型トランジスタのゲートに印加される正の電源電圧により上記受信ポートと送受信ポートとを導通させる,上記受信ポートと送受信ポート間に設けられた受信側スイッチ部とからなるSPDT(Single Pole Double Throw)スイッチと、上記送信側スイッチ部の電界効果型トランジスタのゲートに電源電圧が印加される時に、上記受信側スイッチ部の電界効果型トランジスタのゲートに接地電位よりも低い電位を印加する手段とを備えたことを特徴とする集積回路。
IPC (2):
H03K 17/693 ,  H04B 1/44
FI (2):
H03K 17/693 A ,  H04B 1/44
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 携帯無線装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-125513   Applicant:日本電気株式会社
  • 特開平2-002702

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