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J-GLOBAL ID：200903069505747823

無機固体電解質層の形成方法

Inventor： 川崎 信夫 ,  小藤 武樹
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (2)： 大谷 保 ,  東平 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006286960
Publication number (International publication number)：2008103287
Application date： Oct. 20, 2006
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

【課題】リチウムイオン伝導度の高いアモルファス状の無機固体電解質層を効率的に形成する方法を提供することである。【解決手段】基材上にリチウム元素、リン元素及び硫黄元素を含む無機固体電解質からなる薄膜を形成する方法であって、気相成長法又は化学気相蒸着法(CVD法)を用い、かつ基材を25°C未満に冷却することを特徴とする無機固体電解質層の形成方法である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基材上にリチウム元素、リン元素及び硫黄元素を含む無機固体電解質からなる薄膜を形成する方法であって、気相成長法又は化学気相蒸着法(CVD法)を用い、かつ基材を25°C未満に冷却することを特徴とする無機固体電解質層の形成方法。

IPC (2)：

H01B 13/00 ,  H01M 10/36

FI (2)：

H01B13/00 Z ,  H01M10/36 A

F-Term (21)：

4K029AA02 ,  4K029BA51 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  5H029AJ02 ,  5H029AJ12 ,  5H029AK01 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AK05 ,  5H029AL06 ,  5H029AL07 ,  5H029AL08 ,  5H029AL11 ,  5H029AL12 ,  5H029AM12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ09 ,  5H029EJ03 ,  5H029HJ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平4-202024号公報
  
• 無機固体電解質の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-259562   Applicant：住友電気工業株式会社