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J-GLOBAL ID：200903069551234083

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
原 寿樹

About 原 寿樹


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005203918
Publication number (International publication number)：2007027232
Application date： Jul. 13, 2005
Publication date： Feb. 01, 2007
Summary：
【課題】 セルフヒート効果を低減することができ、基板浮遊効果も解消できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上のSi層10にゲート酸化膜21を介して形成されたゲート電極23と、ゲート電極23を挟んでSi層10に形成されたソース層27a及びドレイン層27bと、を含んで構成されるSDONトランジスタ100を有し、ソース層27aとSi基板1との間及び、ドレイン層27bとSi基板1との間にはそれぞれ空洞部15が存在し、且つゲート電極23下のSi層10とSi基板1との間には空洞部が存在していないことを特徴とするものである。ゲート電極23下のSi層10がSi基板1とつながっているので、SONトランジスタと比べて、セルフヒート効果を低減することが可能である。また、ボディ電位はSi基板1に固定されるので、基板浮遊効果を解消することができる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
半導体基板上の半導体層にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記半導体層に形成されたソース層及びドレイン層と、を含んで構成されるトランジスタを有し、 前記ソース層と前記半導体基板との間及び、前記ドレイン層と前記半導体基板との間にはそれぞれ空洞部が存在し、且つ前記ゲート電極下の前記半導体層と前記半導体基板との間には前記空洞部が存在していないことを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/764 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (10)：
H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301R ,  H01L27/12 L ,  H01L21/76 A ,  H01L21/76 L ,  H01L29/78 626B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616J ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 621
F-Term (87)：
5F032AA01 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032AC02 ,  5F032BA01 ,  5F032BA06 ,  5F032BA08 ,  5F032BB01 ,  5F032CA05 ,  5F032CA06 ,  5F032CA09 ,  5F032CA10 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA12 ,  5F032DA13 ,  5F032DA16 ,  5F032DA24 ,  5F032DA28 ,  5F032DA33 ,  5F032DA78 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110AA15 ,  5F110AA23 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE31 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA34 ,  5F140AC36 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA10 ,  5F140BA16 ,  5F140BB02 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC13 ,  5F140BC15 ,  5F140BC19 ,  5F140BE07 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BG08 ,  5F140BH06 ,  5F140BH15 ,  5F140BH34 ,  5F140BH45 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CC03 ,  5F140CC13 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)

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