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J-GLOBAL ID：200903007535110360

半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法、および半導体基板、半導体装置

Inventor：
小椋 厚志

About 小椋 厚志


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 石川 泰男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002133090
Publication number (International publication number)：2003332540
Application date： May. 08, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】 低コストで高品質なSON半導体基板の製造方法を提供し、また、この半導体基板の製造方法を工程中にすることで高性能な半導体装置を製造することができる方法を提供する。【解決手段】基板の所望の領域に微小空洞を形成するためのイオンを注入する第1ステップと、前記第1ステップにより微小空洞が形成された基板に熱処理をする第2ステップと、を有し、前記第2ステップには、少なくとも基板を1000°C以上の温度に曝すための高温熱処理ステップがあることを特徴とする半導体基板の製造方法を提供し、併せて、この方法を工程中に有する半導体装置の製造方法を提供する。
Claim (excerpt)：
基板の所望の領域に微小空洞を形成するためのイオンを注入する第1ステップと、前記第1ステップにより微小空洞が形成された基板に熱処理をする第2ステップと、を有し、前記第2ステップには、少なくとも基板を1000°C以上の温度に曝すための高温熱処理ステップがあることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (8)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/764 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (8)：
H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/76 A ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 621
F-Term (37)：
5F032AA01 ,  5F032AA07 ,  5F032AA35 ,  5F032AC02 ,  5F032CA17 ,  5F032DA43 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110AA18 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110DD30 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA40 ,  5F140AC19 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BG08 ,  5F140BH34 ,  5F140BH40 ,  5F140BH45 ,  5F140CB04 ,  5F140CD01 ,  5F140CD10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (15)
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