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J-GLOBAL ID：200903069576811697

マイクロリソグラフィ用の反射防止膜組成物と、それを用いたパターン形成方法

Inventor： ジェームス・トマス・ファヘイ ,  ブライアン・ウェイン・ハーブスト ,  レオ・ローレンス・レネハン ,  ウェイン・マーティン・モロー ,  ガリー・トマス・スピニッロ ,  ケヴィン・マイケル・ウェルシュ ,  ロバート・ラヴィン・ウッド
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995190296
Publication number (International publication number)：1996062835
Application date： Jul. 26, 1995
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 遠紫外光によるマイクロリソグラフィに用いる反射防止膜に適した材料を提供する。【構成】 ベンゾフェノンとビスフェノールAのコポリマーは遠紫外光吸収性を有することが示された。したがって、このコポリマーはマイクロリソグラフィ応用分野における反射防止膜として特に有用である。アントラセンをコポリマー中に導入すると248nmでの吸収が強化される。コポリマーに用いられる末端停止剤は使用者の必要に応じて広く変えることができ、接着性、安定性、および異なる波長の吸収を増進するように選択することができる。

Claim (excerpt)：

ビスフェノールAモノマーとベンゾフェノン・モノマーとを含むコポリマーを基板の表面に塗布するステップと、上記コポリマーの上にフォトレジストを塗布するステップと、上記フォトレジストを遠紫外放射線によってパターン形成するステップとを含み、上記コポリマーが上記基板の上記表面から反射される遠紫外放射線を減少させることを特徴とする、遠紫外放射線によるフォトレジスト材料のパターン形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/004 506 ,  C08G 67/00 NRA ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ハレーション止め組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-328816   Applicant：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド
• リソグラフィー用下地材及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-212443   Applicant：東京応化工業株式会社