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J-GLOBAL ID：200903069607895843

基板冷却装置

Inventor： 中川 行人
Applicant, Patent owner： 日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993339325
Publication number (International publication number)：1995161696
Application date： Dec. 04, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板冷却装置において、静電吸着のための高電圧に起因する冷却用ガスの絶縁破壊の防止し、冷却効率を高めかつ信頼性の向上する。【構成】 静電吸着力を発生させる直流高電圧を印加するための電極1と、静電吸着力により被処理基板4を固定する基板載置台2と、この基板載置台を冷却する冷却機構5と、被処理基板と基板載置台との間の隙間部分に冷却用ガスを導入するガス供給機構とを備えるものであり、前記ガス供給機構が、ヘリウムを供給するためのヘリウム供給系7,8,9 と、ヘリウムに絶縁耐力の大きいガスを混合させるための他のガス供給系7,10,11 とからなり、ヘリウムと絶縁耐力の大きいガスの混合比および供給圧力を制御する機構9,11を備える。

Claim (excerpt)：

静電吸着力を発生させる直流高電圧を印加するための電極と、前記静電吸着力により被処理基板を固定する基板載置台と、この基板載置台を冷却する冷却機構と、前記被処理基板と前記基板載置台との間の隙間部分に冷却用ガスを導入するガス供給機構とを備えた基板冷却装置において、前記ガス供給機構は、ヘリウムを供給するためのヘリウム供給系と、前記ヘリウムに絶縁耐力の大きいガスを混合させるための他のガス供給系とからなり、前記ヘリウムと前記絶縁耐力の大きいガスの混合比および供給圧力を制御する機構を備えたことを特徴とする基板冷却装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-308529
  
• 被処理体の温調装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-352073   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝