支持体に結合させたカーボンナノチューブ及びそれを含む複合体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：荒井鐘司 , 河野尚孝 , 嶋崎英一郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006550248
Publication number (International publication number)：2007523033
Application date： Jan. 31, 2005
Publication date： Aug. 16, 2007
Summary：

【課題】ナノスケール/マイクロスケールの支持体の所定の位置に結合させたカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】ナノスケール/マイクロスケールの支持体上に、CVD法を用いて、成長によりカーボンナノチューブを製造する方法において、炭素源としての化合物を触媒と共に、不活性ガス及び水素の流れの中に導入する。

Claim (excerpt)：

ナノスケール/マイクロスケールの支持体上に、CVD法を用いて、成長によりカーボンナノチューブを製造する方法であって、炭素源としての化合物を触媒と共に、不活性ガス及び水素の流れの中に導入することを特徴とする方法。

IPC (3)：

C01B 31/02 , B82B 1/00 , B82B 3/00

FI (3)：

C01B31/02 101F , B82B1/00 , B82B3/00

F-Term (12)：

4G146AA11 , 4G146AC01B , 4G146AC02B , 4G146BA12 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC29 , 4G146BC33B , 4G146BC34B , 4G146BC44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

カーボンナノチューブの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-351931 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 昭和電工株式会社
3C-SiCナノウィスカーの合成方法及び3C-SiCナノウィスカー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-191226 Applicant：科学技術振興事業団, 独立行政法人物質・材料研究機構
カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-276426 Applicant：キヤノン株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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