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J-GLOBAL ID：200903096118573377

3C-SiCナノウィスカーの合成方法及び3C-SiCナノウィスカー

Inventor：
安藤 寿浩

About 安藤 寿浩

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蒲生 美香

About 蒲生 美香

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張 亜非

About 張 亜非


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団

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独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001191226
Publication number (International publication number)：2003002800
Application date： Jun. 25, 2001
Publication date： Jan. 08, 2003
Summary：
【要約】【課題】 直径と長さが制御でき、Si基板上に成長でき、かつ、安全でコストの低い3C-SiCナノウィスカー合成方法を提供する。また、可視光の発光波長が異なる3C-SiCナノウィスカーを提供する。【解決手段】 Si基板1上に金属元素からなる薄膜2を堆積し、この基板1を水素と炭化水素からなるプラズマ中で所定の基板温度で一定時間保持して形成する。金属液体粒子3にSi基板1のSiとプラズマ中のCが過飽和に溶け込み、金属液体粒子3上に3C-SiCナノウィスカー4が成長し、ウィスカーの表面はHで終端されて直径が一定に保たれ、ウィスカーの根本の金属液体粒子3はSi基板1のSiを取り込んで、Si基板1中に潜り込む。
Claim (excerpt)：
Si基板上に金属元素からなる薄膜を堆積し、この基板を水素と炭化水素からなるプラズマ中で所定の基板温度で一定時間保持して形成することを特徴とする、3C-SiCナノウィスカーの合成方法。
IPC (4)：
C30B 29/62 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/36 601
FI (4)：
C30B 29/62 K ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/36 601 B
F-Term (10)：
4G046MA14 ,  4G046MB04 ,  4G046MC02 ,  4G077AA04 ,  4G077BE08 ,  4G077DB19 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077HA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特許第6221154号
  • 特開昭62-036100
  • 特開昭62-036100
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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