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J-GLOBAL ID：200903069640270662

半導体集積回路の製造方法及び製造装置

Inventor： 河村 光一郎 ,  笠置 泰男
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993113613
Publication number (International publication number)：1994302570
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 研磨速度の下地形状依存性を抑制し得ると同時に、研磨量を的確に把握し得るように改良された半導体集積回路の製造方法及び製造装置を提供する。【構成】 研磨材と液体とによって半導体基板表面を研磨する研磨手段と、研磨中に発生する液体に光を照射する光照射手段と、その透過光または吸収光を分光して該分光波長の強度を検知する検知手段とを有する製造装置を用い、配線パターン上に該配線パターンの膜厚以上の厚さを持つ絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜の表面に回転塗布によって有機膜を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記有機膜を研磨する工程とを含み、前記研磨工程中に前記有機膜から発生する有機膜構成粒子成分を監視し、該成分の検出強度の変化に基づいて研磨量を把握する。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の製造方法に於て、配線パターン上に該配線パターンの膜厚以上の厚さを持つ絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜の表面に回転塗布によって有機膜を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記有機膜を研磨する工程とを含み、前記研磨工程中に前記有機膜から発生する有機膜構成粒子成分を監視し、該成分の検出強度の変化に基づいて研磨量を把握することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-033336
  
• 特開平2-162244
  
• 非ハロゲン系のロジン系ハンダフラツクス洗浄剤の液管理法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-307262   Applicant：荒川化学工業株式会社, 株式会社チノー