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J-GLOBAL ID:200903069686489596

面発光素子および自己走査型発光装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩佐 義幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996085236
Publication number (International publication number):1997283794
Application date: Apr. 08, 1996
Publication date: Oct. 31, 1997
Summary:
【要約】【課題】 外部発光効率の良い面発光素子を提供する。【解決手段】 絶縁基板31上に設けられたP形の半導体層32と、半導体層32上にメサ構造により設けられた、N形の半導体層33,P形の半導体層34と、N形の半導体層35と、半導体層32上に設けられたアノード電極38と、半導体層34上に設けられたゲート電極37と、半導体層35上に設けられたカソード電極36とを備え、N形半導体層35のシート抵抗値を、P形半導体層32のシート抵抗値以下とした。
Claim (excerpt):
絶縁基板上に設けられた第1導電形の第1の半導体層と、第1の半導体層上にメサ構造により設けられた第2導電形の第2の半導体層と、第1の半導体層上に設けられた第1の電極と、第2の半導体層上に設けられた第2の電極とを備える面発光ダイオードにおいて、第2の半導体層のシート抵抗値を、第1の半導体層のシート抵抗値以下としたことを特徴とする面発光ダイオード。
IPC (5):
H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  H01L 29/74
FI (3):
H01L 33/00 A ,  B41J 3/21 L ,  H01L 29/74 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 半導体発光装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-044451   Applicant:株式会社東芝
  • 面発光型半導体発光装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-253979   Applicant:住友電気工業株式会社
  • 特開平2-263668
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