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J-GLOBAL ID：200903085122416217

面発光型半導体発光装置

Inventor： 神山 博幸
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993253979
Publication number (International publication number)：1995111339
Application date： Oct. 12, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高い外部変換効率を有する面発光型半導体発光装置を提供する。【構成】 半絶縁性InP基板11上にはn+ InGaAs層12が形成されている。そして、このn+ InGaAs層12上の一部分にn-InPの第1クラッド層13、In0.72Ga0.28As0.33P0.67の活性層14、p-InPの第2クラッド層15が順次エピタキシャル成長されてDH構造の発光層を形成している。さらに、第2クラッド層15の上にはp+ InGaAs層17が形成されている。p+ InGaAs層17上の一部には方形状のp型オーミック電極18が、n+ InGaAs層12上の他の一部分には方形状のn型オーミック電極19が形成されている。

Claim (excerpt)：

キャリアが注入されることにより発光する半導体発光層を、互いに異なる導電型の2つの半導体導電層で厚み方向に挟んだ構造を備え、前記2つの半導体導電層の少なくとも一方を介して光出力領域から前記厚み方向に光が出力される面発光型半導体発光装置であって、前記2つの半導体導電層の一方には、前記光出力領域に隣接する第1の領域からキャリアが供給され、前記2つの半導体導電層の他方には前記光出力領域を挟んで前記第1の領域と反対側の第2の領域を介してキャリアが供給されることを特徴とする面発光型半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-159385
  
• 半導体発光素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219179   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-004720   Applicant：旭化成工業株式会社