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J-GLOBAL ID:200903069689650410

低反射性導電膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999307577
Publication number (International publication number):2000153223
Application date: Aug. 12, 1997
Publication date: Jun. 06, 2000
Summary:
【要約】【課題】低温熱処理により形成が可能な低反射性導電膜の形成方法の提供。【解決手段】Ruの金属微粒子のゾルを含有してなる導電膜形成用塗布液を基体上に塗布して塗膜を形成した後、塗膜上に前記導電膜より低屈折率の膜を形成することを特徴とする低反射性導電膜の形成方法。
Claim (excerpt):
Ruの金属微粒子のゾルを含有してなる導電膜形成用塗布液を基体上に塗布して塗膜を形成した後、塗膜上に前記導電膜より低屈折率の膜を形成することを特徴とする低反射性導電膜の形成方法。
IPC (6):
B05D 5/06 ,  B05D 5/12 ,  C09D 5/24 ,  G02B 1/10 ,  H01J 9/20 ,  C03C 17/36
FI (6):
B05D 5/06 Z ,  B05D 5/12 B ,  C09D 5/24 ,  H01J 9/20 A ,  C03C 17/36 ,  G02B 1/10 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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