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J-GLOBAL ID:200903069700155540

半導体集積回路装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 尾身 祐助
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994300180
Publication number (International publication number):1996139090
Application date: Nov. 10, 1994
Publication date: May. 31, 1996
Summary:
【要約】【目的】 Cu層を配線の主体とする半導体集積回路装置において、Cu層の付着力を向上させて容易に剥離することのないようにする。【構成】 シリコン基板21の表面に拡散層22を形成し、基板表面を拡散層22上に開口を有するシリコン酸化膜23により被覆する。この半導体基板上にTiW、TiN等からなる拡散防止膜24を形成し、その上に、Al、Ti等からなる付着層25、配線層の主体となるCu層26およびTiW、TiN等からなる酸化防止膜27を形成する。
Claim (excerpt):
半導体基板上に直接または絶縁膜を介して形成された、Cuに対する拡散防止能力の高い材料からなる拡散防止膜と、該拡散防止膜およびCuに対する付着力の高い材料からなる付着層と、該付着層上に形成されたCuを主体とする材料からなる低抵抗金属層と、を有する配線を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2):
H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (3):
H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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