半導体集積回路装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994300180
Publication number (International publication number)：1996139090
Application date： Nov. 10, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 Cu層を配線の主体とする半導体集積回路装置において、Cu層の付着力を向上させて容易に剥離することのないようにする。【構成】シリコン基板21の表面に拡散層22を形成し、基板表面を拡散層22上に開口を有するシリコン酸化膜23により被覆する。この半導体基板上にTiW、TiN等からなる拡散防止膜24を形成し、その上に、Al、Ti等からなる付着層25、配線層の主体となるCu層26およびTiW、TiN等からなる酸化防止膜27を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に直接または絶縁膜を介して形成された、Cuに対する拡散防止能力の高い材料からなる拡散防止膜と、該拡散防止膜およびCuに対する付着力の高い材料からなる付着層と、該付着層上に形成されたCuを主体とする材料からなる低抵抗金属層と、を有する配線を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 R , H01L 21/90 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-202841
半導体装置の積層配線構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-111999 Applicant：日本電信電話株式会社
特開昭63-302538

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