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J-GLOBAL ID：200903069718591720

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
高見 義則

About 高見 義則


Applicant, Patent owner：
パナソニック株式会社

About パナソニック株式会社


Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007245184
Publication number (International publication number)：2009076738
Application date： Sep. 21, 2007
Publication date： Apr. 09, 2009
Summary：
【課題】微細化してもウエル電位を安定化させ、破壊耐量の向上としきい値電圧Vtの低下の抑制とを両立し、トレンチゲートを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、N型ドレイン領域2aと、N型ドレイン領域2a上に形成された低濃度P型ボディ領域3と、低濃度P型ボディ領域3上に形成されたN型のソース領域4と、低濃度P型ボディ領域3上に形成された高濃度P型ボディ領域5と、ゲート絶縁膜6と、ゲート電極7とを備えている。N型ソース領域4および高濃度P型ボディ領域5の上面から低濃度P型ボディ領域3を貫通してN型ドレイン領域2aに達し、平面的に見て凹凸を繰り返しながら同一方向に延びる複数のトレンチTが形成されており、ゲート電極7はトレンチTに埋め込まれている。N型ソース領域4におけるトレンチT間の最大距離は、高濃度P型ボディ領域5におけるトレンチT間の最大距離よりも大きい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1導電型のドレイン領域と、 前記ドレイン領域の上に形成された第2導電型の低濃度ボディ領域と、 前記低濃度ボディ領域の上に形成された第1導電型のソース領域と、 前記低濃度ボディ領域の上に形成され、前記低濃度ボディ領域よりも高濃度の第2導電型不純物を含む高濃度ボディ領域と、 ゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、 前記ソース領域および前記高濃度ボディ領域の上面から前記低濃度ボディ領域を貫通して前記ドレイン領域に達し、平面的に見て凹凸を繰り返しながら同一方向に延びる複数のトレンチが形成されており、 前記ゲート絶縁膜は前記複数のトレンチの各々の内面を覆っており、 前記ゲート電極は前記トレンチ内に埋め込まれており、 前記ソース領域における前記トレンチ間の最大距離は、前記高濃度ボディ領域における前記トレンチ間の最大距離よりも大きい半導体装置。
IPC (1)：
H01L 29/78
FI (3)：
H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-382834   Applicant：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
  • 絶縁ゲート型電界効果半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-236024   Applicant：三洋電機株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-265879   Applicant：株式会社東芝

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