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J-GLOBAL ID：200903051768831393

半導体装置

Inventor： 河路 佐智子 ,  臼井 正則 ,  杉山 隆英 ,  堀田 幸司
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003382834
Publication number (International publication number)：2005150246
Application date： Nov. 12, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：

【課題】 ボディ領域内の少数キャリア濃度が小さい。【解決手段】 エミッタ電極Eと接続するn+型のエミッタ領域34と、エミッタ領域34を囲繞するとともに、エミッタ電極Eと接続するp-型のボディ領域28と、ボディ領域28と接するとともに、ボディ領域28によってエミッタ領域34から隔てられているn-型のドリフト領域26と、エミッタ領域34とドリフト領域26を隔てているボディ領域28にゲート絶縁膜33を介して対向しているトレンチゲート電極32とを備えている半導体装置において、そのトレンチゲート電極32は、トレンチ幅の異なる部分がトレンチゲート電極32の長手方向に形成されている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

一対の主電極と、 一方の主電極に接続されている第2導電型半導体領域と、 前記第2導電型半導体領域を囲繞するとともに、前記一方の主電極に接続されている第1導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域に接するとともに、前記ボディ領域によって前記第2導電型半導体領域から隔てられている第2導電型のドリフト領域と、 前記第2導電型半導体領域と前記ドリフト領域を隔てている前記ボディ領域にゲート絶縁膜を介して対向しているトレンチゲート電極を備えている半導体装置において、 前記トレンチゲート電極は、トレンチ幅の異なる部分がトレンチゲート電極の長手方向に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

FI (8)：

H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/44 P ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 J

F-Term (22)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF02 ,  4M104FF04 ,  4M104FF11 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM15 ,  5F033MM23 ,  5F033RR04 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-054656   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (3)

• 炭化ケイ素トレンチFETおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-065745   Applicant：富士電機株式会社
• 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-327215   Applicant：株式会社東芝
• 高速トレンチ二重拡散金属酸化膜半導体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-564398   Applicant：ゼネラルセミコンダクター,インク.