Pat

J-GLOBAL ID：200903069762889523

層間絶縁膜およびその製造方法、ならびに半導体装置

Inventor： 熊田 輝彦 ,  信時 英治 ,  保田 直紀 ,  松浦 正純 ,  後藤 欣哉
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006156313
Publication number (International publication number)：2007324536
Application date： Jun. 05, 2006
Publication date： Dec. 13, 2007
Summary：

【課題】多層配線を含む半導体装置に、ボラジン系化合物の絶縁膜を用いた場合に、半導体装置のデバイス信頼性が向上させる。【解決手段】ボラジン骨格を含む層間絶縁膜であって、表面の窒素原子濃度が内部の窒素原子濃度より高いことを特徴とする層間絶縁膜、およびボラジン化合物を原料として、化学的気相反応成長法(CVD法)により成膜する工程と、当該膜の表面に、窒素原子を含有するガスを作用させる工程と、を含むことを特徴とする層間絶縁膜の製造方法、ならびに当該層間絶縁膜を有する半導体装置。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ボラジン骨格を含む層間絶縁膜であって、絶縁膜表面の窒素原子濃度が絶縁膜内部の窒素原子濃度より高いことを特徴とする層間絶縁膜。

IPC (4)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  C23C 16/30

FI (4)：

H01L21/318 B ,  H01L21/90 K ,  H01L21/90 P ,  C23C16/30

F-Term (35)：

4K030AA01 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA26 ,  4K030BA27 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030FA07 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033SS11 ,  5F033XX14 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 低誘電率膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-355201   Applicant：三菱電機株式会社