低誘電率膜の形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：宮田金雄 , 高瀬彌平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002355201
Publication number (International publication number)：2004186649
Application date： Dec. 06, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

【課題】接着強度に優れ、かつ低誘電率と高機械強度を長期にわたり安定した低誘電率膜の形成方法を得る。【解決手段】下記化学式(1)で示されるボラジン骨格を有した化合物を原料として、【化1】(上式中、X1、X2、X3は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アミノ基、炭素数1〜4のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、モノアルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基、Y1、Y2、Y3は同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基または炭素数3〜12のトリアルキルシリル基で、X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3の全てが水素原子ではない。)化学的気相成長法により成膜するものである。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記化学式(1)で示されるボラジン骨格を有した化合物を原料として、

IPC (2)：

H01L21/312 , C23C16/34

FI (2)：

H01L21/312 A , C23C16/34

F-Term (14)：

4K030AA01 , 4K030BA26 , 4K030BA27 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AC10 , 5F058AF01 , 5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

耐熱低誘電率薄膜、その形成方法、その耐熱低誘電率薄膜からなる半導体層間絶縁膜及びこの半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-181147 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-182975 Applicant：三菱電機株式会社
ボラジン変性ヒドリドポリシラザンポリマーの生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-274460 Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション, ユニバーシティーオブペンシルバニア

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