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J-GLOBAL ID：200903069794768841

化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤

Inventor： 大森 克実 ,  羽田 英夫 ,  金子 文武 ,  佐藤 充 ,  佐藤 和史 ,  中山 寿昌
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997011580
Publication number (International publication number)：1998090901
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高解像性及び高感度を有し、かつ優れた形状のレジストパターンを与える化学増幅型レジスト組成物、及びそれに用いる酸発生剤を提供するものである。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)一般式【化1】(R1は不活性有機基、R2は芳香族性多環式炭化水素基、非芳香族性多環式炭化水素基又はそれらの置換誘導体基)で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物、並びに、前記一般式で表わされ、かつR1が芳香族性基、R2がナフチル基又はカンファー残基であるオキシムスルホネート化合物から成る化学増幅型レジスト用酸発生剤である。

Claim (excerpt)：

(A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化する被膜形成成分、及び(B)一般式【化1】(式中のR1は不活性有機基、R2は芳香族性多環式炭化水素基、飽和若しくは不飽和の非芳香族性多環式炭化水素基又はそれらの置換誘導体基である)で表わされるオキシムスルホネート化合物から成る酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高感度の高解像度i-線ホトレジスト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-144327   Applicant：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーミクロエレクトロニクスインコーポレーテッド