生体および化学試料検査装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：作田康夫 , 井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004012596
Publication number (International publication number)：2005207797
Application date： Jan. 21, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】遺伝子など生体物質等の検査を安価、簡便に行なう小型、高感度、低コストの検査装置に好適なワイヤレスセンサチップを提供する。【解決手段】センサチップをSOI基板100上に形成し、pMOSトランジスタが形成されるn型半導体層とnMOSトランジスタが形成されるp型半導体層とはpn接合により分離する。このため、最外周(チップ端で溶液に接する部分)のp型半導体層をフローティング、その内側のn型半導体層にチップ内の最高電位を与え、p型半導体層にはセンサチップの最低電位を与える。また、酸化膜層を通じての陽イオンの侵入を抑制するために、イオン非透過性絶縁膜125によりチップを覆う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

SOI基板上に形成される半導体集積回路装置であって、上記SOI基板上に設けられ、複数の第1導電型のMOSトランジスタが形成された第2導電型の第1半導体領域と、上記SOI基板上に設けられ、複数の第2導電型のMOSトランジスタが形成された第1導電型の第2半導体領域と、上記第1半導体領域及び上記第2半導体領域上に設けられた複数の配線及び上記配線同士または上記配線と上記SOI基板とを電気的に分離するための酸化膜層を有し、上記酸化膜層の側壁はイオン非透過性絶縁膜により覆われている半導体集積回路装置。

IPC (9)：

G01N27/414 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L29/786

FI (9)：

G01N27/30 301U , H01L27/08 331E , H01L27/12 Z , G01N27/30 301K , H01L29/78 619A , H01L29/78 625 , H01L21/90 K , H01L27/08 321F , H01L27/04 A

F-Term (93)：

5F033GG03 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK19 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033XX28 , 5F038AV06 , 5F038AZ04 , 5F038AZ07 , 5F038AZ08 , 5F038BH09 , 5F038CA05 , 5F038CD16 , 5F038DF01 , 5F038DF03 , 5F038DF08 , 5F038EZ06 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ19 , 5F038EZ20 , 5F048AA07 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB14 , 5F048BB16 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BE09 , 5F048BF02 , 5F048BF12 , 5F048BG13 , 5F048BH03 , 5F048BH05 , 5F110AA24 , 5F110BB04 , 5F110BB09 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HM15 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN33 , 5F110NN62 , 5F110NN63 , 5F110NN66 , 5F110NN71 , 5F110NN78

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

集積化センサ素子及びこれを用いた計測システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-195465 Applicant：株式会社山武
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-322185 Applicant：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-328123 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Cited by examiner (13)

半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-328123 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-122558
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-175140 Applicant：新日本製鐵株式会社

Show all

Return to Previous Page