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J-GLOBAL ID:200903017128904862

相補型MOS半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 坂上 正明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002243211
Publication number (International publication number):2003158198
Application date: Aug. 23, 2002
Publication date: May. 30, 2003
Summary:
【要約】【課題】 低コストで短工期でありかつ低電圧動作が可能で低消費電力および高駆動能力を有し、かつ高速動作のパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置の実現を可能とする構造を提供することを目的とする。【解決手段】 CMOSのゲート電極の導電型をP型単極の多結晶シリコンないしはP型ポリサイド構造とする。PMOSは表面チャネル型であるため短チャネル化や低しきい値電圧化が可能であり、また埋込みチャネル型であるNMOSもしきい値制御用の不純物として拡散係数の小さい砒素を使えるため極めて浅い埋込みチャネルとなり短チャネル化や低しきい値電圧化が容易となり、さらに分圧回路やCR回路に用いられる抵抗体をゲート電極とは異なる他の多結晶シリコンで構成することより高精度な分圧回路有するため、高速なパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置の実現を特徴とする。
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成された絶縁膜と前記絶縁膜上に形成された半導体薄膜層から構成されるSOI基板の前記半導体薄膜層上に形成された、N型MOSトランジスタとP型MOSトランジスタと抵抗体で構成されている相補型MOS半導体装置において、前記N型MOSトタンジスタのゲート電極の極性がP型であり、前記P型MOSトタンジスタのゲート電極の極性がP型であり、前記抵抗体は前記N型MOSトランジスタのP型ゲート電極および前記P型MOSトランジスタのP型ゲート電極とは異なる材料で構成されていることを特徴とするSOI相補型MOS半導体装置。
IPC (8):
H01L 21/8234 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786
FI (6):
H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/04 P
F-Term (61):
5F038AR07 ,  5F038AR09 ,  5F038BB04 ,  5F038BB05 ,  5F038DF01 ,  5F038DF03 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AB08 ,  5F048AC02 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB16 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BC07 ,  5F048BC11 ,  5F048BC16 ,  5F048BC20 ,  5F048BD05 ,  5F048BE03 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110FF12 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-108450   Applicant:株式会社リコー
Cited by examiner (13)
  • 相補型半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-338340   Applicant:ソニー株式会社
  • 特開平2-058370
  • 特開平4-084428
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