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J-GLOBAL ID：200903069876135839

カーボンナノチューブ形成用基板の製造方法およびこの基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法

Inventor：
多留谷 政良

About 多留谷 政良

, 
森 剛

About 森 剛


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (2)： 宮田 金雄 ,  高瀬 彌平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003082187
Publication number (International publication number)：2004284919
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：
【課題】基板上へ低温かつ低コストにてカーボンナノチューブを形成することを可能とする、カーボンナノチューブ形成用基板の製造方法およびこの基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法を実現する。【解決手段】基板1上に、基板1の融点(ガラス基板の場合にはガラスの軟化点)よりも低い温度にて熱的な原子の移動を生じる第一の金属5と、触媒金属(第二の金属)3とを積層し、第一の金属5の原子を加熱によって熱的に原子移動させること、あるいは溶融により流動させることで、触媒金属3自体、あるいは、CNT成長の核となる触媒金属3の部分を、基板1上に微細に分散もしくは露出させることにより、CNT成長を促進する触媒金属3の微細な核を備えたCNT形成用基板を作成し、この基板上に熱CVD法によりCNTを成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に、この基板の融点よりも低い温度にて熱的な原子の移動を生じる第一の金属と、この第一の金属の上層もしくは下層に隣接配置された、カーボンナノチューブの形成に対し触媒作用を有する第二の金属とを形成した後、 前記基板を、前記第一の金属が熱的な原子の移動を生じ、かつ、前記基板の融点を越えない温度に加熱してなるカーボンナノチューブ形成用基板の製造方法。
IPC (3)：
C01B31/02 ,  B32B15/04 ,  C03C17/40
FI (3)：
C01B31/02 101F ,  B32B15/04 Z ,  C03C17/40
F-Term (52)：
4F100AA20 ,  4F100AA37C ,  4F100AB01B ,  4F100AB01D ,  4F100AB01E ,  4F100AB02 ,  4F100AB02D ,  4F100AB11 ,  4F100AB15D ,  4F100AB16 ,  4F100AB16D ,  4F100AB31D ,  4F100AG00A ,  4F100AR00D ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA25 ,  4F100EH66 ,  4F100EH662 ,  4F100JA04A ,  4F100JA04B ,  4F100JA04E ,  4F100JA05A ,  4G059AA08 ,  4G059AB09 ,  4G059AC30 ,  4G059DA05 ,  4G059DA06 ,  4G059DA09 ,  4G059DB02 ,  4G059DB04 ,  4G059DB08 ,  4G059EA01 ,  4G059EA05 ,  4G059EB01 ,  4G059EB05 ,  4G059GA01 ,  4G059GA02 ,  4G059GA05 ,  4G059GA13 ,  4G059GA14 ,  4G146AA11 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA47 ,  4G146DA48
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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