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J-GLOBAL ID：200903069908675083

多結晶シリコン薄膜の製造方法

Inventor：
工藤 利雄

About 工藤 利雄

, 
宮川 達也

About 宮川 達也


Applicant, Patent owner：
カシオ計算機株式会社

About カシオ計算機株式会社


Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248728
Publication number (International publication number)：1996078330
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 エキシマレーザビームのスキャン照射によりアモルファスシリコン薄膜を多結晶化してなる多結晶シリコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化し、また多結晶シリコン薄膜の表面の凸凹を小さくする。【構成】 まず、図3(A)において斜線(ハッチング)で示すように、390〜520mJ/cm2程度の高エネルギ密度のエキシマレーザビームでスキャン照射することにより、アモルファスシリコン薄膜を多結晶化する。次に、図3(B)において斜線(ハッチング)で示すように、点線で示す図3(A)のレーザビーム照射領域とは異なるレーザビーム照射領域を、180〜350mJ/cm2程度の低エネルギ密度のエキシマレーザビームでスキャン照射する。これにより、多結晶シリコン薄膜の結晶粒の大きさを均一化することができ、また多結晶シリコン薄膜の表面の凸凹を小さくすることができる。
Claim (excerpt)：
レーザビームのスキャン照射によりアモルファスシリコン薄膜を多結晶化して多結晶シリコン薄膜とする際に、レーザビーム照射領域を異ならせて複数回スキャン照射することを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
  • 半導体素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-023341   Applicant：富士ゼロックス株式会社
  • 特開昭57-162433
  • 特開昭57-162433
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