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J-GLOBAL ID:200903069997445959

透明電極及びその形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤村 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999090228
Publication number (International publication number):2000285752
Application date: Mar. 30, 1999
Publication date: Oct. 13, 2000
Summary:
【要約】【課題】 光照射により透明電極材料の結晶化を低温で進めるに際して、プラスチック基板等の有機物基体の著しい変質を抑止し、十分に高い電気伝導率を有する透明電極を形成する方法等を提供する。【解決手段】 有機物基体上に、該有機物基体の光変性を防止する光変性防止層を形成する工程と、前記光変性防止層上に、透明電極材料層を形成する工程と、前記透明電極材料層にその基礎吸収端波長よりも短い波長の光を照射して透明電極材料を結晶化させる工程とを有することを特徴とする透明電極の形成方法。
Claim (excerpt):
有機物基体上に、該有機物基体の光変性を防止する光変性防止層を形成する工程と、前記光変性防止層上に、透明電極材料層を形成する工程と、前記透明電極材料層にその基礎吸収端波長よりも短い波長の光を照射して透明電極材料を結晶化させる工程とを有することを特徴とする透明電極の形成方法。
IPC (2):
H01B 13/00 503 ,  H01B 5/14
FI (2):
H01B 13/00 503 B ,  H01B 5/14 A
F-Term (5):
5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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