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J-GLOBAL ID：200903069999279541

窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 山田 孝夫 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997153814
Publication number (International publication number)：1999004039
Application date： Jun. 11, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 共振面が平滑で、レーザ光のファーフィールドパターン形状の良好な、更にしきい値の低下された窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 エッチングして共振面を形成した後、更にエッチングによりリッジ(p側コンタクト層20及びp側クラッド層19よりなる)を形成する。

Claim (excerpt)：

光導波機構がリッジ構造である窒化物半導体レーザ素子において、共振面がエッチングにより形成されてなり、該共振面を形成後に、リッジ構造がエッチングにより形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-202479   Applicant：ローム株式会社