Pat
J-GLOBAL ID:200903070023286487
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
森本 義弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000379540
Publication number (International publication number):2002184759
Application date: Dec. 14, 2000
Publication date: Jun. 28, 2002
Summary:
【要約】【課題】 ヘリウムガスを使用することなく、大気圧中で安定した放電を行なえるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 反応管1の外周部に反応管1を挟んで対向するよう第1の電極5と第2の電極6を配置する。反応管1に反応ガスを供給し、第1の電極5に高周波電源7より高周波電力を供給し、第2の電極6にこの高周波電力よりも低い周波数の低周波電力を供給して、高周波電力と低周波電力との合成電力によって反応ガスを励起してプラズマを発生させる。
Claim (excerpt):
反応ガスを供給する反応管と、前記反応ガスに作用する第1,第2の電極とを備え、前記第1,第2の電極に高周波電力を供給して反応ガスを励起し、発生させたプラズマで被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、第1の電極に高周波電力を供給する第1の電源と、第2の電極に前記高周波電力よりも低い周波数の低周波電力を供給する第2の電源とを設けたプラズマ処理装置。
IPC (3):
H01L 21/3065
, B01J 19/08
, H05H 1/30
FI (3):
B01J 19/08 H
, H05H 1/30
, H01L 21/302 N
F-Term (22):
4G075AA30
, 4G075AA42
, 4G075BA02
, 4G075BA05
, 4G075BD14
, 4G075CA24
, 4G075CA25
, 4G075CA47
, 4G075CA51
, 4G075CA57
, 4G075DA01
, 4G075EB21
, 4G075EB41
, 4G075EC21
, 4G075FB06
, 4G075FC15
, 5F004AA14
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004CA03
, 5F004CA09
Patent cited by the Patent: