Pat

J-GLOBAL ID：200903070025904439

面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 植木 伸明 ,  中山 秀生 ,  乙間 広己 ,  山本 将央
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996180933
Publication number (International publication number)：1998027938
Application date： Jul. 10, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光出力特性に特段の影響を与えることなく、横モードを安定させながら、偏波面を安定に維持することのできる、面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明の第1の特徴は、半導体基板1上で活性層4が上部及び下部の半導体多層反射膜2、7により挟まれ、少なくとも前記上部半導体多層反射膜7を加工してなる半導体柱を有し、基板と垂直方向に光を放出する面発光型半導体レーザ装置において、前記活性層4の近傍に、前記半導体基板に垂直な方向からみた断面形状が、長軸と短軸とを有する矩形または楕円形状を有してなる反射率分布の異なる領域を具備し、当該領域とその周辺の領域とで出射光に対する反射率が異なるように構成したことにある。

Claim (excerpt)：

半導体基板上で活性層が上部及び下部の半導体多層反射膜により挟まれ、少なくとも前記上部半導体多層反射膜が選択的に除去せしめられて半導体柱を構成し、基板と垂直方向に光を放出する面発光型半導体レーザ装置において、前記活性層の近傍に、前記半導体基板に垂直な方向からみた断面形状が、長軸と短軸とを有する矩形または楕円形状を有してなる反射率分布の異なる領域を具備し、当該領域とその周辺の領域とで出射光に対する反射率が異なるように構成したことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 面発光レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253324   Applicant：日本電気株式会社
• 面発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-318710   Applicant：日本電気株式会社
• 高効率の縦型空洞表面放出レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-123340   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 面型発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-039171   Applicant：日本電信電話株式会社