半導体発光装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998117577
Publication number (International publication number)：1999312824
Application date： Apr. 27, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】ワイヤボンディングの位置ずれによってショートが発生したり、フリップチップ時の導電性樹脂やペーストの流れ込みによってショートが発生するという問題があった。【解決手段】基板上に、一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層して設けて絶縁膜で被覆し、この基板の対向する端部近傍に共通電極を設けて第1の接続線を介して前記一導電型半導体層に接続し、この共通電極の内側に個別電極を設けて第2の接続線を介して前記逆導電型半導体層に接続した半導体発光装置において、前記共通電極、第1の接続線、および第2の接続線を100〜3400Åの膜厚を有する第2の絶縁膜で被覆した。

Claim (excerpt)：

基板上に、一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層して設けて絶縁膜で被覆し、この基板の対向する端部近傍に共通電極を設けて第1の接続線を介して前記一導電型半導体層に接続し、この共通電極の内側に個別電極を設けて第2の接続線を介して前記逆導電型半導体層に接続した半導体発光装置において、前記共通電極、第1の接続線、および第2の接続線を100〜3300Åの膜厚を有する第2の絶縁膜で被覆したことを特徴とする半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

発光ダイオードアレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-138441 Applicant：京セラ株式会社
発光ダイオードアレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-192857 Applicant：京セラ株式会社
特開平3-087074

Show all

Return to Previous Page