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J-GLOBAL ID：200903070080153450

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置

Inventor： 水口 徹也 ,  別所 和宏 ,  細見 政功 ,  大場 和博 ,  山元 哲也 ,  鹿野 博司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001366346
Publication number (International publication number)：2003168834
Application date： Nov. 30, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果型の記憶素子において、多層膜構造中においても良好な特性が得られるようにする。【解決手段】 二つの強磁性体層14c,16とこれらの間に挟まれる非磁性体層15とを含む多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、強磁性体層14c,16のうちの少なくとも一方を、強磁性を示す元素とホウ素とを含む材料からなる構成とする。そして、非磁性体層15が酸化膜からなり、その非磁性体層15からの酸素の拡散があっても、酸素をホウ素と優先的に結合させることで、強磁性を示す元素による磁気特性が損なわれるのを抑制する。

Claim (excerpt)：

二つの強磁性体層とこれらの間に挟まれる非磁性体層とを含む多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、強磁性を示す元素とホウ素とを含む材料からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (6)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

F-Term (19)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034CA00 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-264464   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気薄膜メモリ、磁気薄膜メモリの読出し方法、及び磁気薄膜メモリの書込み方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-302354   Applicant：キヤノン株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-017383   Applicant：日本電気株式会社