磁気薄膜メモリ、磁気薄膜メモリの読出し方法、及び磁気薄膜メモリの書込み方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺勝 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998302354
Publication number (International publication number)：2000132961
Application date： Oct. 23, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】磁気薄膜メモリを構成するメモリセルの構造を簡略化するとともにメモリセルの占有面積を低減し、高集積化された磁気薄膜メモリを得る。【解決手段】メモリセルの電界効果トランジスタのドレイン電極と、この電界効果トランジスタに隣接する他の電界効果トランジスタのソース電極を接続し電極を共通化させて、半導体基板との接続を行うコンタクトホールの数を1メモリセルに対し1個に減らす。また、磁気抵抗に情報を書込むための書込み線を電界効果トランジスタのゲート電極に代用させて書込み線を省略し1メモリセルに必要な配線本数を減らす。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタと並列に接続された磁気抵抗と、によって構成された磁気半導体ハイブリッド素子を有する磁気薄膜メモリ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁性薄膜メモリおよびその記録方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-234539 Applicant：三菱電機株式会社
半導体記憶装置とそれを搭載したシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-153137 Applicant：株式会社東芝
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-191380 Applicant：株式会社東芝

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