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J-GLOBAL ID：200903070110356297

ダイヤモンド合成法およびその合成装置

Inventor： 三友 亨 ,  近藤 英一 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991236592
Publication number (International publication number)：1993070291
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、立体的な基体に結晶性の良いダイヤモンド膜を均一に合成することを目的とする。【構成】 合成系(30)の反応容器(10)の内部には、軸回転可能な基体ホルダー(29)が設置され、その上には基体(8)が配されている。この基体(8)を、外部加熱系(31)の加熱装置(11)により加熱し、放射温度計(16)で加熱された基体(8)の表面温度を検出する。放射温度計(16)にはデータ解析装置(17)が接続されており、処理されたデータを基体ホルダー(29)と加熱装置(11)にさらに伝達することができるようにそれぞれ接続されている。この装置を用いることによって、基体(8)の不均一温度分布を解消することができ、均一な膜質のダイヤモンドを合成することができる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波を用いてプラズマを発生させ、該プラズマ中に基体を設置し、該基体上にダイヤモンド薄膜を合成するダイヤモンド合成法において、前記基体のダイヤモンドが合成される表面を均一な温度となるよう加熱し、前記基体表面の温度を検出して温度制御を行いながらダイヤモンド薄膜を合成することを特徴とするダイヤモンド合成法。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/16