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J-GLOBAL ID：200903070132788735

メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法

Inventor： ジークフリート シュヴァルツル
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000565541
Publication number (International publication number)：2002522915
Application date： Aug. 02, 1999
Publication date： Jul. 23, 2002
Summary：

【要約】メモリセル装置において、第1及び第2の導体が設けられており、それらの交点に磁気抵抗効果を有するメモリ素子が設けられている。各導体の内の一方をそれぞれ囲み、且つ、少なくとも10の透磁率の磁化可能材料を含むヨークが設けられている。ヨークは、当該ヨークを通る磁束が実質的にメモリ素子を介して閉じられるように設けられている。

Claim (excerpt)：

メモリセル装置において、-第1の導体(L1)及び第2の導体(L2)及び磁気抵抗効果を有するメモリ素子(SE)を設け、-前記第1の導体(L1)と前記第2の導体(L2)との交点位置に前記メモリ素子を設け、-ヨーク(J)を設け、該ヨークは、前記各導体の内の一方(L2)を部分的に囲み、且つ、少なくとも10の相対透磁率の磁化可能材料を含み、-前記ヨーク(J)は、当該ヨークを通る磁束が実質的に前記メモリ素子(SE)を介して閉じられるように設けられていることを特徴とするメモリセル装置。

IPC (5)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 U ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

F-Term (11)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA12 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-276238   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気メモリおよびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-326133   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 特開平2-093373