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J-GLOBAL ID：200903070162103931
ボンディング用バンプの形成方法および装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田村 弘明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994068808
Publication number (International publication number)：1995283223
Application date： Apr. 06, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高密度の集積回路を持つ半導体チップに狭隘ピッチで多数配置された電極、または該電極と接続すべきTAB、リードフレーム、プリント基板等のリード部に、金属ボールを高精度に配列し、均一な所定高さのバンプを接合不良なく形成する。【構成】 金属ボールを配列した配列基板と、上記チップ等のバンプ形成部材とを、マーカーを有する透明基準板を挟んで対向する位置関係に配置し、該基準板を通して配列基板上のボールおよびバンプ形成部材をそれぞれ別個に観察して、両者の位置を調整し、ボールとバンプ形成すべき所定箇所とを合わせた後、該基準板を退避させ、両者を重ねて加圧する方法、およびその装置。
Claim (excerpt)：
半導体チップの電極または該電極とボンディングされるリード部からなるバンプ形成部材の所定箇所にバンプを形成する方法であって、金属ボールを配列基板上に配列し、該基板と前記バンプ形成部材を重ねて加圧することにより該基板上の前記金属ボールを前記バンプ形成部材の所定箇所に接合してバンプとするに際し、マーカーを有する透明基準板を挟んで対向する位置関係に前記配列基板と前記バンプ形成部材を配置し、前記基準板を通し前記配列基板および前記バンプ形成部材をそれぞれ別個に観察して位置調整した後、前記透明基準板を退避させ、前記バンプ形成部材および前記配列基板を重ねて加圧することを特徴とするボンディング用バンプの形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 Z
